英特尔共同创始人摩尔提出的摩尔定律(Moore's Law)曾让电脑行业的专家们担忧不已，担心电脑芯片的发展会最终达到极限。然而半导体业巨擘英特尔周三（11月5日）表示，已发现一种为晶体管绝缘的突破性方法，可克服在今后10年中提高芯片效能的最大障碍。并可能解决半导体业界一项最根本的难题：即在电脑芯片不断缩小的同时，能不流失电能且不增加发热。

　　目前半导体制造商所设计的微处理器上晶体管数量越来越多，而晶体管会像滴水的水龙头一样，不断泄漏出电流。随着芯片中晶体管数量增加，原本仅数个原子层厚的二氧化矽绝缘层会变得更薄，进而导致泄漏更多电流。

　　这也意味着效能越强的芯片所流失的电能也越多，不但会降低电池寿命，也会散出更多热能。这问题会使得笔记本电脑热得烫手，也迫使企业必须为服务器电脑架设昂贵的冷却系统。

　　为解决此问题，英特尔表示，已为晶体管找到一种新的绝缘材料，可替代近30年来半导体业界所采用的标准材料二氧化矽。英特尔科技分析师维罗纳(RobWilloner)表示，英特尔的新解决方案是一种稍厚些的高介电常数(high-kdielectric)材料，这材料可以使晶体管运作时不会发生漏电现象。

　　维罗纳说，因为新的绝缘材料与现有控制晶体管开关的矽闸电极并不兼容，英特尔将采用金属制作新型闸电极。该公司表示，正朝着2007年将新晶体管设计量产的目标迈进。英特尔周四将在东京的技术论坛International Gate Insulator Workshop中发表这项新绝缘体设计。

　　但为了避免过早向竞争对手泄漏机密，英特尔并未公布新绝缘材料的组成成分。因此，一些竞争对手对英特尔声明颇为质疑。

　　德州仪器一个类似研究小组的主管Luigi Colombo表示，德州仪器将于12月发布研究报告，公布与英特尔类似的技术突破。他认为英特尔的报告过于简单，科学家们无法就此作出判断。

　　北卡罗来纳州大学(North Carolina State University)电子和电脑工程学副教授Veena Misra在称赞英特尔技术突破之余，也对英特尔不肯透露所用材料感到不满，称这种做法未免太奇怪了。

　　英特尔负责技术和制造部门的高级副总裁Sunlin Chou表示，英特尔计划，随着生产的推进而逐步公布材料详情，周三之举只是不愿让竞争对手抢占先机而已。他还强调，这种新材料只是备选材料之一，英特尔也有可能修改计划。他承认，他还面临着说服一些高层主管的挑战，其中就包括英特尔董事长格鲁夫。格鲁夫会质疑这种材料的稳定性以及投入大规模生产的可能性。