为何DDR 2比DDR更易提升速度!?

    要明白为何DDR 2比DDR更易提升速度，我们必需要先重温一下DDR与SDRAM的分别。我们用的内存是透过不停充电及放电的动作记录资料的，上代SDRAM内存的核心频率就相等于传送速度，而每一个Mhz只会有传送1 Bit的资料，采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存频率已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。

    DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取资料，故此每一下充电放电的动作，只能读写一次，而DDR却把技术提升至在充电及放电时都能存取资料，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会比SDRAM在同一频率下效能提高一倍，而100Mhz的DDR却可达至200Mbps存取速度，由于每一个Mhz都要有二次的资料存取，故此DDR每一Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，而DDR颗粒频率每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。

    而DDR 2则是继承DDR并作出改良，同样能在每一笔充电放电时都能存取，但DDR 2却改良了I/O Buffer部份，以往内存颗粒的频率相等于I/O Buffer的频率，但DDR2的I/O Buffer会被提升至却内存核心频率的一倍，而DDR 2内存却会在每一个Mhz传送4Bit的资料给I/O Buffer，比DDR每笔传送2Bit多一倍，故此在同一内存核心频率下，DDR 2的内存会比DDR速度快一倍，这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强，因为每提升1 Mhz DRAM的频率，所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR 2的频率是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的频率还是266Mhz。

On Die Termination技术

    上文提及到内存的运作是靠充电及放电来达至记忆资料及存取动作，要提升内存的频率，其实就是要加快充电及放电的动作，传统的DDR内存，是由主板上的充电放电放控制器负责，每一次充电或放电的完成都要通知主板上的内存控制器，再由主机板上的内存控制器发出下一个充电放电的讯号。但新一代的DDR 2，其充电及放电的控制器会内建于DDR 2内存上，大大缩减了延误，这样有利DDR 2进一步提升核心频率。

Posted CAS及Additive Latency 技术

为了能令DDR 2内存更易增加频率，DDR 2优化了读写的工作流程，加入了Posted CAS技术，可以令CAS指令(读写指令)能于下一个RAS(Active Command)指令后的工作频率下开始，以往CAS同RAS必须相距一个频率才可，这个技术减少了频率的浪费，这样可令内存的频率更易提升。

OCD电压管理优化

    DDR 2还加入了OCD (Off-Chip Driver)技术，在I/O Driver新增稳压线路令充电放电动作的电压值的误差减至最少，以防止源过大的电压和过少的电压令资料流失或令讯号变得更稳定。下图是采用OCD电压管理后所得到的效果图，使用OCD后电压误差变细。