DDR 2将取代DDR成为系统记忆体主流已是不争的事实，而传闻Gigabyte将推出DDR 2 to DDR Converter，又能否成为现有DDR用家升级的曙光呢，HKEPC编辑部独家找来Gigabyte GC-DDR21作独家测试。

DDR与DDR2的分别

    业界正式记忆体规格都是由JEDEC-- Joint Electronioc Device Engineering Council制定，这包括了DDR及DDR2，在规格中DDR 官方最高速度为DDR 400，而DDR 400后的速度则交由DDR 2接捧，但由于DDR的制程进步，DDR的速度已经完全超越了官方的估计，故此现时更出现了超高速的DDR 550，但却是非官方规格。JEDEC已认定DDR 2为未来主流系统记忆体，为未来高速系统汇排流作好准备，而且更得到Intel、AMD、VIA、nVidia、SiS、Samsung、Hynix、Elpida、Infineone等半导体巨头的支持。

    虽然名字上只差毫厘，但DDR2和DDR2却是完全不兼容的，DDR2接口为240Pins比DDR的184Pin长，而且电压亦比DDR的2.5v更低，只有1.8v而在同时脉下比DDR低一半的功耗，这些都是DDR2记忆体的优点，而缺点则是DDR的延迟值比较高，在同时脉下效能较低。

    不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有得大分别。我们用的记忆体是透过不停充电及放电的动作记录资料的，上代SDRAM记忆体的核心时脉就相等于传送速度，而每一个Mhz只会有传送1 Bit的资料，采用1 Bit Prefetch。故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。但随著系统内部元件速度提升，对记忆体速度的要求增加，单纯提升记忆体时脉已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。

    DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那一刻存取资料，故此每一下充电放电的动作，只能读写一次，而DDR却把技术提升至在充电及放电时都能存取资料，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会比SDRAM在同一时脉下效能提高一倍，而100Mhz的DDR却可达至200Mbps存取速度，由于每一个Mhz都要有二次的资料存取，故此DDR每一Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，而DDR颗粒时脉每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。

    而DDR 2则是承继DDR并作出改良，同样能在每一笔充电放电时都能存取，但DDR 2却改良了I/O Buffer部份，以往记忆体颗粒的时脉相等于I/O Buffer的时脉，但DDR2的I/O Buffer会被提升至却记忆体核心时脉的一倍，而DDR 2记忆体会在每一个Mhz传送4Bit的资料给I/O Buffer，比DDR每笔传送2Bit多一倍，故此在同一记忆体核心时脉下，DDR 2的记忆体会比DDR速度快一倍，这技术称为4Bit Prefetch。DDR 2未来提升速度的空间会比DDR强，因为每提升1 Mhz DRAM的时脉，所得到的效果却是传统SDRAM的四倍。不过我们经常提及DDR 2的时脉是Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的时脉还是266Mhz。

Gigabyte DDR2 to DDR Converter : GC-DDR21

    图中就是Gigabyte的GC-DDR21 DDR 2 to DDR Converter，版本为REV 0.1属于工程样本的阶段，上端为DDR记忆体184pins接口，中间的PCB只是把部份的DDR2走线接到DDR接口上，而下端则为DDR2规格240pins金手指，在PCB上没有任何晶片、电阻等电子零件，可以说是单纯的PCB一块，究竟Gigabyte是如何令DDR记忆体运作于DDR2记忆体插槽上呢!?