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| 玩家必读 主流DDR2内存点评 |
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2005-03-23 08:54:57 姑苏飘雪 资料来源：天极网
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前言：
在去年下半年，习惯于以PC架构领导者姿态出现的英特尔启动了新一轮产品线变革，这次革新是近3年来最彻底的一次，范围覆盖了包含桌面、移动、工作站/服务器的整个Intel X86系统，而焦点则是以系统总线串行化和内存系统的大幅度提速为核心的，这使DDR2正式登上系统内存的历史舞台承担重要角色。
但DDR2虽然比DDR拥有更高的频率、更高的带宽，无奈其价格高昂，大大阻碍了DDR2取代DDR进程之路。幸好，现在一切已经悄然发生了改变，近来内存市场风起云涌，DDR2的价格已经大幅下降。目前一些512MB DDR2内存已经跌到700元以下的价位，使得DDR2发展前景一片大好。毕竟如果价格适宜，消费者从日后升级的考虑也往往也会向更高规格的DDR2内存看齐。
一、DDR2内存技术发展方向：更低延迟、更高频率
DDR2是由JEDEC(电子元件工业联合会)定义的下一代DDR内存技术标准。与此前DDR技术相比，DDR2最大特点是采用4-bit Prefetch技术来有效提升内存带宽。
DDR2内存的基本根本工作原理类似于DDR SDRAM。只不过，DDR SDRAM每个时钟周期内可能通过总线传输两次数据，而DDR2 SDRAM则可以传统4次数据。DDR2使用一样的内存cell，但是使用多路技术使得带宽加倍。然而，这个方法虽然可以有效果提高内存带宽，但也有它的缺点：最主要的缺点就是高延迟。内存延迟不取决于I/O缓冲区的工作频率或数据从内存cell进入总线的位宽多与少。影响延迟的主要因素是内存cell自身的延迟。DDR2-533的延迟相对DDR266或PC133 SDRAM来说都要高，更不用说与DDR400相比了。
针对延迟问题，厂商们虽然在DDR2中引入了posted CAS技术、通过使用附加延迟(additive latency)的概念来改善延迟所带来的问题。不过，此项功能对目前老版DDR2而言几乎没有效果。早期DDR2-533 SDRAM模块仅能工作在4-4-4 timings(CAS Latency - RAS to CAS Delay - RAS Precharge Time)模式下，延迟要比DDR高出不少。不能低估这个延迟，内存寻址的高延迟将导致低性能。
幸好，这种情况目前已经有所改观，许多内存制造商，特别象Corsair或OCZ此类先进内存模块的厂商已经推出了支持3-3-3 timings规格、工作频率为533MHz的DDR2 SDRAM内存模块。必须强调的是这些模块不是通过超频获得的，而完全符合JEDEC标准(官方文件中DDR2-533修正版的规格：支持3-3-3 timings并且电压增加到1.9v)。
英特尔也在最新LGA775系统中对3-3-3 timings的DDR2-533 SDRAM提供了支持，英特尔公司目前已经正式证实它的新芯片组将支持此类规格内存。理论上，DDR2-533的CAS延迟减小了3个时钟周期是新版DDR2 SDRAM的参数最大改进之处，虽然延迟仍稍微比DDR400高，但凭借高带宽的优势，性能已经等于或超过了目前的DDR400内存。
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