这款英飞凌DDR2内存单条容量为512MB，其采用的是双面布局的设计，正反面各焊接8颗英飞凌自家生产的DDR2颗粒，FBGA封装。保存着运行速度，时序信息的SPD芯片位于模组PCB正面中央位置。受利于DDR2内存的低电压、低功耗设计，所以这款内存采用的是散热片设计，具有关测试表明，英飞凌DDR2 SO-DIMM模块的功耗仅为同类解决方案的三分之二，散热量降低了18%左右。

    从模组正面左侧颗粒上的标签可以看出这款其容量为512MB，频率为PC2-6400（DDR2-800）。标准延迟时序为CL 6-6-6-18，其生产地为德国。 其内存颗粒编号为HYB18T256 800AF25，32Mx8bit组织方式，使用FBGA封装，标称2.5纳秒，工作电压1.8V。