内存市场的发展远不如主板、显卡等迅速，各个厂家的产品也没有太多新意可言，但是这个有些憋得让人透不过气的市场竞争也是异常激烈。各厂商的内存都要凭借着自己雄厚的实力迅速得到市场的认可,商厂如战厂,适者生存!

    作为DDR内存新一代技术革新的产物，DDR2内存具有更高速，更大带宽，更低电耗以及更好的散热性能等特点。它是DDR SDRAM 的换代产品，在基本架构方面和DDR SDRAM类似，最大变化在于引进了4bit Prefetch（数据预取架构）来改善内存运行频率。

    具体实现的方式是用两倍于DDR SDRAM内存的数据预取架构来增强存储单元并行运行能力，在提供相同传输速率的同时降低了存储单元的运行频率，和DDR400内存的200MHz存储单元运行频率相比，DDR2-533内存的存储单元仅运行在133MHz，由于存储单元的频率很难在往上提升，因此DDR400达到了大规模因应用的极限，而DDR2还可以提升存储单元频率来提高DRAM输出频率，最终改善整个内存模组能够提供的带宽。

    此外DDR SDRAM还应用前置CAS和附加延迟，在一个前置CAS作业中，一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该指令CAS可以在DRAM一侧保持，并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。这样简化了控制器设计，因为它可以避免指令通道上的冲突。而且，采用一个简单的指令序列还可以提高指令和数据通道的效率。由于在读/写指令之间不存在气泡（bubble)或空隙周期，因此实际的内存带宽也得到提高。

    DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计，即内建终结电阻。终端暂存器(termination register)就实现在该DRAM晶片之中，可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器，简化了主板设计，降低设计制造成本。DRAM控制器可以为每个讯号设定终端暂存器的开或关，这些讯号包括数据I/O、差分数据选通讯号和写数据屏蔽。利用ODT就不需要Vtt产生器或Rtt电阻，而且能降低多重反射，提高信号完整性并增加时序裕量。

    所有的DDR2 SDRAM内存均采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列）封装，减少尺寸并提高高频作用下的信号稳定性，这种技术的一个变体是新型的sFBGA（堆迭式FBGA），它增加了各模组之间的空气流动空间因而提高了热性能和可靠性。典型的DDR2 SDRAM内存DIMM模组有240pin，仅为1.8V的工作电压远低于DDR SDRAM的2.5V/2.6V，这使DDR2有大幅低于DDR SDRAM的功耗和发热量。