12?厂、0.11微米进度将影响DRAM供应量

　　诚如之前所言，DRAM价格变化最终变因仍在于市场供需结构，所以2004年市场供应端及需求端的变化仍是必须探讨的重点。

　　在供应端方面，第一个变因在于各厂商12?厂的量产进度。目前全球具有12?厂量产能力的DRAM业者分别为茂德、力晶、英飞凌及三星。不仅力晶、茂德等业者将持续扩大12?厂产能，包含尔必达甚至是几度濒临破产的海力士都有12?厂加入量产或扩建计画，预期美光也会有12?厂的增建计画。因此，这些新加入的12?厂产能量产状况，将是影响DRAM供应端的第一个变因。

　　此外，0.11微米制程的进度则是影响DRAM供应端的第二项变因。以目前各业者的规划进度来看，除三星已进入量产外，Infineon、Micron将于2004年第一季进入量产，Elpida、Hynix、华邦、力晶、南亚等则于2004年下半进入量产。

　　因为是由0.13微米转至0.11微米制程，每片晶圆产出颗粒数量可增加50%，若是所有业者的制程转换皆按进度进行，就算不含现有厂商及中芯等业者的新增产能，2004年下半DRAM的供应量成长率就会超过40%。

　　第三项变因在于包含三星等业者，将部份产能转至生产NANDFlash，虽然这部份产能移转将影响到NANDFlash的市价，但这对DRAM市场的供应量成长控制会有正面的助益。

　　只是，除三星外，包含Infineon、Hynix及力晶都非目前NANDFlash的主要供应者，甚至可说是新进者，这些业者会有多少产能顺利转至NANDFlash仍待观察。且这市场目前由三星所主导，未来三星会不会采用价格战策略以抑制新加入业者的营运，则是另一个观察重点。

　　除非出现重大变数　DRAM价格不易大涨

　　至于在市场需求端方面，除各研究机构看好2004年的PC销售数量，进而可带动对DRAM的需求外，每台PC的配备容量则是另一项重要观察重点。

　　虽然PC仍处在低价趋势下，即便是采865芯片组的PC，目前DRAM容量标准配备仍以256MB为主，但在抢攻圣诞节的消费市场考量下，Dell已调高每台PC的DRAM标准容量配备，其中采865芯片组中、高阶PC的DRAM标准容量，已由先前的256MB提高至512MB。

　　若是Dell这一策略能获得消费者所认同，其他业者对于DRAM的标准容量也将会顺势提高至512MB，这将会带动对于DRAM的消耗量。

　　不过，诚如先前所说，目前消费者对于DRAM占PC售价的容忍比重已由历史的8～10%降低至5～7%(甚至低于5%)，加上PC的低价趋势短期间内不会改变，所以可预期，除非在供应端出现巨大变因，导致市场供给量出现严重短缺，否则DRAM价格的上涨空间将被大幅压缩。

　　在此情况下，DRAM厂商要在标准型DRAM事业中获利，除降低成本，还是降低成本，否则就要将营运事业由标准型DRAM转移至其他如1TPseudoDRAM等利基型市场，才有提高获利空间的机会。