本报记者 孙文博

　　2005年闪存(Flash)芯片风云起伏集中在下半年，由苹果公司(Apple)iPod MP3所引发的风暴，将NAND闪存市场推向高峰。在NAND闪存芯片市场位居榜首的三星电子成为众矢之的，NOR闪存芯片市场供应商开始希望“两条腿走路”：瑞萨“退隐”转由台湾厂商进行代工，美光、Hynix、东芝加快投入……而这都是由小小的iPod引爆！闪存芯片市场新一轮洗牌开始。

　　闪存市场持续激增 半导体厂商排位生变

　　据调研机构Gartner公布数据来看，2005年最新出炉的全球十大半导体厂商中，除了老牌以存储器芯片位列榜眼的三星以14.3%的成长率列席之外，海力士(Hynix)以23.4%的高成长率冲入排行榜，与Hynix同时冲入排行榜的是状元郎Intel的老对手AMD。从全球前十大半导体厂商的排名中，可以清晰地看到，英特尔、三星电子、意法半导体(ST)、瑞萨科技、英飞凌、Hynix都在闪存市场中耕耘多年。这使得由苹果公司iPod刮起的MP3风潮，形成快速拉动闪存芯片市场飞速增长，形成2005年半导体产业界与CPU传统增长项目相媲美的彗星产品。

　　Gartner分析师唐颖浩表示，从全球角度观察，2005年闪存市场规模预计达到180亿美元左右，与2004年150亿美元相比增长13%左右。其中NAND闪存芯片总市场约在110亿美元，与去年相比增长53%，而NOR闪存芯片则有所下滑，总市场容量为70亿美元，约下滑16%左右。拉动整体闪存芯片增长的动力包括手机、MP3、PDA等大容量的应用需求，而更多的应用市场将促使闪存芯片在2006年取得进一步增长。

　　唐颖浩接着指出，中国市场发展状况更加优于国际市场，随着整体态势跟随国际市场，但具体情况则是“升则猛升、降则微降”，仍保持在大幅度上升态势中。2005年中国市场闪存芯片总额为57亿美元，其中NAND闪存芯片为40亿美元，增长率100%以上，NOR闪存芯片1.7亿美元，小幅下滑7%，这样的升降状况都远远好于国际市场。至于2006年中国的闪存市场，唐颖浩表示，随着更多应用的开发以及终端设备生产地更多地落户中国，2006年中国市场将更具增长空间。

　　美国半导行业协会(SIA)公布报告，预期2006年DRAM市场将会延续前一年衰退态势，预估将向下滑落10.1%，而闪存则可望实现两位数的增长幅度，攀升至210亿美元。SIA表示，引领半导体市场向上增长的终端产品，近来逐渐呈现由个人电脑(PC)转移至消费性便携产品的趋势，在苹果公司MP3播放器iPod等消费性电子的带动下，预期2006年NAND闪存市场增长率约在16%左右，销售额将上扬至210亿美元。反观2006年DRAM市场则将再衰退一成，仅达230亿美元规模。

　　市场调研公司Web-Feet Research的报告预测，三星电子在2005年仍为全球最大的闪存供应商，但由于产品降价，它的市场份额将会下降，其总体闪存销售额为62亿美元，市场份额为31.7%。由于东芝的12英寸NAND工厂投产，预计它的2005年排名将升至第二位，总体闪存市场份额为12.4%。东芝的NAND闪存市场份额预计达到18.8%，其晶圆厂合作伙伴SanDisk公司的份额为8.9%。最大的NOR供应商英特尔预计将以11.8%的总体闪存市场份额位居第三，而Spansion的排名将滑至第四位，市场份额为10.4%。韩国的Hynix在2004年排在第十位，其市场份额稳步上升，预计2005年排名将升至第五，它的总体闪存市场份额预计为7.7%，NAND闪存市场份额为13.4%。意法半导体将排在第六位，其总体闪存销售额预计为13亿美元，市场份额为6.4%。

　　瑞萨调整带动台商 闪存市场酝酿变局

　　随着闪存芯片市场杀伐之气渐浓，洗牌的局面不可避免，三星超过50%的市场份额所形成的一家独大局面，在预估2006年NAND闪存依然将缺货的情况下，被后续者东芝、Hynix紧紧追赶。在英特尔和美光冲刺合资厂之后，渐有厂商开始不得不放弃这一战场。由于游戏难以为继，瑞萨遂首先调整在闪存之外的领域。

　　瑞萨2005财年上半年亏损约1700万美元，预计全年的亏损超过这一数字的两倍。在重组中瑞萨把设计与开发资源集中于微控制器(MCU)、LCD驱动器和SoC器件。瑞萨科技总裁兼首席执行官Satoru Ito表示，瑞萨将不打算把内存业务作为它的支柱业务之一，将在闪存方面加强与伙伴的合作。

　　瑞萨科技与我国台湾省的力晶半导体之间存在协议，由后者为其生产闪存。该协议覆盖至密度最高为1GB的器件，瑞萨准备把其范围扩大到4GB器件。从2005年第三季度瑞萨闪存芯片市场成长46.4%的状态而言，认为瑞萨完全弃守并不客观，但无论怎样，代工的动作给我国台湾厂商将带来在闪存芯片市场中新的竞争空间。

　　力晶董事长黄崇仁表示，力晶因为拥有越来越多12英寸晶圆厂，未来在市场占有率上将更进一步提升。NAND型闪存是力晶下一阶段相当重要的目标，因此力晶多方面全力进军闪存领域，除了先前替瑞萨代工NAND型闪存外，同时也自行成立了前讯科技闪存芯片组设计公司，希望能够借由多元化经营模式，让力晶能快速进入这一领域，而且有能力与国际NAND型闪存大厂一较长短。

　　三星成为“假想敌” “苹果大餐”被分而食之

　　力晶董事长黄崇仁表示，目前只有DRAM芯片报价是力晶唯一无法控制的，不过力晶还是以三星为努力的目标，并将三星当成最大的假想敌。

　　所谓“木秀于林，风必摧之”。在闪存芯片市场中，三星无疑是众人比拼的对象，原本凭借苹果的订单而独霸MP3等大容量NAND市场的优势，随着Hynix、东芝、美光快速增加整体投入，以及英特尔和美光合资厂的建立，对于2006年三星独霸半边天下之势将平添无数风云。

　　在英特尔和美光宣布合资进入NAND闪存市场之后，由东芝、Hynix和三星引发的NAND混战局面将进一步升级，这样的合资公司对于三星、东芝、Hynix的冲击无疑非常强烈。2005年11月22日，三星电子的股价下跌了5%，市值损失44亿美元；东芝的股价下跌了8.8%，市值损失16亿美元；Hynix的股价下跌了8.3%。

　　英特尔和美光成立的新公司IM Technology得到了苹果公司的认可，为了保证极受欢迎的iPod nano的供货量，苹果公司日前与三星、东芝、海力士(Hynix)、Intel以及美光等五大闪存厂商达成了长期供货协议，总金额高达12.5亿美元。其中，Intel与美光各得2.5亿美元，原本几乎是三星独享的“苹果大餐”不得不被多人共食。

　　NAND市场强势难挡 闪存有望取代硬盘

　　英飞凌内存部门主管罗建华表示对于闪存前景极为看好，他认为，闪存科技是具有瓦解性的科技，有取代或颠覆既有产业版图的力量，终有一天将可看到NAND型Flash取代硬盘的日子到来。未来英飞凌依然会继续发展DRAM事业，但增长幅度不会较闪存来得高。

　　而三星估计，到了2008年全球约有1亿台左右的台式电脑，而三星目标是要台式电脑约20%采用NAND型Flash芯片组，届时则会推出高达32GB的产品，以应台式电脑市场所需。三星表示，除了看准各项数码电子产品及手持式装置对于NAND型Flash的需求，此外，三星NAND型Flash在过去几年均持续保持以每年增加1倍容量的速度，促使客户能够开始采用三星的NAND型Flash来不断降低制造成本，使客户愿意接受NAND型Flash来取代硬盘。未来三星则会努力，每年增加容量将由原本的2倍再进一步提高到3倍～4倍。三星的目标是到了2008年，取得台式电脑硬盘20%市场，改为采用NAND型Flash。

　　NOR市场强强联手 市场面临重新洗牌

　　NOR闪存市场的变化都与英特尔有关，自2005年年中宣布重返低价位NOR闪存市场以来，对于NOR闪存市场竞争格局产生重要影响。

　　观察目前全球NOR闪存市场规模排名，英特尔仍坐拥龙头地位，市场占有率大约还维持在28%左右。至于意法半导体是全球NOR闪存第三大供货商，市场占有率同样也高达15%左右，二者联手的可能几乎没人想到过。

　　但在2005年12月初，英特尔与意法半导体共同宣布，两家公司将针对手机市场合作开发软硬件兼容的NOR闪存产品。此次英特尔与意法半导体携手合作，初期先行采用各自90纳米工艺技术，发展可兼容性的内存平台。据了解，这样的合作关系，将更进一步推进到65纳米甚至是45纳米阶段。

　　英特尔Flash事业群技术长Ed Doller表示，就目前开发进度来看，英特尔将于2008年开始采用45纳米工艺技术，用于制造更高规格的内存产品。意法半导体内存事业群副总裁Giuseppe Crisenza也表示，意法的工艺技术将会与英特尔同步，也就是说到2008年，意法也将开始采用45纳米工艺技术，生产芯片用内存产品。

　　就目前开发进度来看，英特尔与意法双方的65纳米工艺技术所开发出的产品，将会在2006年初进入销售阶段。不过虽说这个全新可共同兼容内存的平台，开发成员仅限于英特尔及意法半导体，但由于英特尔及意法均希望有更多厂商加入，因此并不排斥其余半导体大厂一同参与，只不过到目前为止，还是会先以意法及英特尔为主。

　　调研机构Web-Feet指出，由于2005年大部分时间里面临困难的价格形势，预计2005年NOR闪存市场将下滑17%至83亿美元，而NAND闪存的销售额预计增长53%至113亿美元。这样的预测与目前大厂联手相关联，2006年NOR闪存市场看来还有企业要出局。